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GaN（gallium nitride）

由镓（Ga）和氮（N）构成的化合物半导体。带隙为3.45eV（用光的波长表示相当于约365nm），比硅（Si）要宽3倍。利用该特性，GaN主要应用于光元件…… 详见全文

蓝色LED和白色LED的标准芯片是收纳于封装内的LED芯片，大体上一边的尺寸为200～300μm。形状因用途而异，有正方形和长方形等…… 详见全文

白色LED指将多种不同波长的光叠加输出白色光线的二极管。主要用于液晶面板的背照灯光源、照明光源、霓虹灯、指示器光源以及汽车前照灯光源等，应用范围较广…… 详见全文

在底板上直接安装芯片的方法之一。连接芯片表面和底板时，并不是像引线键合一样那样利用引线连接，而是利用阵列状排列的，名为焊点的突起状端子进行连接…… 详见全文

指蓝色发光二极管。发光波长的中心为470nm前后。用于照明器具和指示器等蓝色显示部分的光源、LED显示屏的蓝色光源以及液晶面板的背照灯光源等…… 详见全文

发光效率是将外部量子效率用视觉灵敏度来表示的数值。外部量子效率是发射到LED芯片和封装外的光子个数相对于流经LED的电子个数所占的比例……详见全文

发射绿光的二极管。发光中心波长在560nm左右。用于霓虹灯和指示器、LED显示器的光源……详见全文

光效下降现象是指，向芯片输入较大电力时LED的发光效率反而会降低的现象。作为有助于削减单位光通量成本的技术，各LED厂商都在致力于抑制光效下降现象…… 详见全文

发射红光的二极管。发光中心波长在620～630nm左右。主要用于霓虹灯、指示器、汽车尾灯和信号机等中的红色显示部分的光、LED显示器的红色光源…… 详见全文

LED和半导体激光器等的发光部分的半导体层，是在基片上生长结晶而成。采用的基片根据LED的发光波长不同而区分使用。蓝色LED和白色LED等GaN类的LED芯片…… 详见全文

发射紫外光的二极管。一般指发光中心波长在400nm以下的LED，但有时将发光波长大于380nm时称为近紫外LED，而短于300nm时称为深紫外LED……详见全文

在基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。用于制作没有杂质和缺陷的结晶层。包括在基片上与气体发生反应以积累结晶层的VPE（气相生长）法…… 详见全文

表示相对于光的波长，光的强度的分布。LED的光谱一般为单色LED，例如蓝色LED以波长470nm时为峰值呈山峰分布，以峰值波长较短的紫外领域和峰值波长较长的绿色领域为光的强度的测定极限…… 详见全文

LED由于发光部较小，为局部热源，因此必须充分考虑对该部分的散热对策。LED亮度和寿命受温度影响会发生大幅变化，因此如果散热设计不完善…… 详见全文

光通量是表示光源整体亮度的指标。单位为lm（流明）。在表示照明光源的明亮程度时经常使用。是参考人眼的灵敏度（视觉灵敏度）来表示光源放射光亮度的物理量…… 详见全文

将LED芯片安装到封装中时，为了将LED芯片发出的光提取到封装外部，封装的一部分或者大部分采用透明材料。透明材料使用的是环氧树脂和硅树脂…… 详见全文

指用黑体（理论上可完全吸收外来光的虚拟物体）的温度表示光的颜色的数值。单位为K（开尔文）。黑体发出光的波长分布（色调）因温度而异…… 详见全文

在蓝色LED和近紫外LED等LED元件中，为了获得白色光等LED芯片本身发光色以外的光，需要使用荧光体。为形成白色LED而与蓝色LED芯片组合使用的荧光体包括…… 详见全文

指利用照明器具的光照射物体时，反映以何种程度再现了与自然光照射时相同颜色的指标。一般情况下，多使用平均演色性指数（Ra）来表示…… 详见全文

LED的用途包括指示器、液晶面板背照灯、照明器具以及前照灯等，范围极广。对白色LED的发光特性要求呈现出多样化趋势。另外，LED是点光源…… 详见全文

将光源发出的光调节为希望的亮度的做法。LED与白炽灯一样，比荧光管更容易进行微细调光。通过在点亮LED的电源电路中，改变输入LED的电流大小和占空比（导通时间与截至时间之比）来调节亮度…… 详见全文

利用带隙较宽的层夹住带隙窄且极薄的层形成的构造。带隙较窄的层的电势要比周围（带隙较宽的层）低，因此形成了势阱（量子阱）…… 详见全文

根据结晶构造的应力而产生的压电极化而发生的电场。是导致以InGaN等GaN类半导体为发光层的蓝色LED和绿色LED的外部量子效率降低的原因之一……详见全文

半导体元件内部的温度。在LED中是指芯片内发光层（pn结间设置多重量子阱构造的位置）的温度。LED芯片的发光层在点亮时温度会上升…… 详见全文