LED阵列的设计和制作工艺研究

[摘要] 根据AlGaInP外延片的结构特点设计了LED型微显示器件的主要结构。利用Markus2Christian Amann等人提出的模型对器件电流注入后的空间分布进行了简单的理论分析，总结出了像素元和上隔离沟槽的理想尺寸分别是16μm ×16μm 和2μm。简述了减薄GaAs 衬底的作用，设计衬底电隔离沟槽宽度为5μm。

下载说明: 文件大小：0.46MB | 文件格式：PDF | 上网时间：2009-07-29