性能反超苹果,英特尔扳回一城
英特尔最近几年可谓是流年不利,先是芯片被 AMD 反超,后又被苹果放弃,失去了 MacBook Air 与 MacBook Pro 的订单。在遍地“AMD,yes”“M1,yes”的呼声中,英特尔已然成为背景板。
“英特尔,你的 14nm 制程出到几代了?”“英特尔的牙膏挤不出来了”,在连续五年使用 14nm 制程之后,打磨厂、牙膏厂几乎成了英特尔的代名词,网上处处都是讥讽英特尔的段子。
然而,作为老牌半导体巨头,英特尔真的日落西山了吗?答案自然是否定的。上周,英特尔正式公布第 12 代酷睿,强大的性能不仅让 AMD 退避三舍,也让苹果新发布的 M1 Pro、M1 Max 失去其传奇色彩。英特尔似乎在用 12 代酷睿向世人宣布,那个强大的半导体巨人回来了。
英特尔落后,非战之罪
攒过机的小伙伴应该清楚,七八年前的英特尔就是个无敌的存在,那时候苹果还未进入电脑 CPU 领域,AMD 根本没有一战之力。
站在 CPU 性能之巅,英特尔感到孤独而寂寞。于是,英特尔开始玩花活,钻研起制程工艺了。在芯片制造过程中,后道工艺中的第一层金属被称为 M0,也叫关键金属层。英特尔在完成 14nm 制程研发之后,决定在 10nm 制程中采用激进方案, M0 与 M1 两道金属层都采用了四重曝光技术。
四重曝光技术整合难度非常大,因为要通过接触孔(Contact)与栅极(MG)或有源区(OD)进行连接,涉及前道工艺和后道工艺的接口,整合难度极高,良品率非常低。而英特尔在开始 10nm 研发的时代,EUV 光刻机并没有诞生,只好硬着头皮公关。可惜,这一干就是好几年,10nm 工艺难产了。
10nm 工艺出不来怎么办,英特尔只好不断打磨优化 14nm 工艺,于是采用了 14nm+++++ 这样的超级魔改制程。
在英特尔苦于 M0 金属层四重曝光之际,台积电与三星迅速赶上并反超。台积电的 7nm(相当于英特尔 10nm) M0 与三星 7nm 的 M1 都是用 EUV 一次曝光完成,直到第四层金属,才使用四重曝光技术。
简而言之,三星与台积电跳过了 M0 层四重曝光这一技术难点,通过减少最小金属中心距与 EUV 光刻机成功避开,从而实现弯道超越。
英特尔之前一段时间的落后局面,并非研发人员工作不利,而是选错了方向,白白浪费了数年光阴。10nm 工艺攻克之后,英特尔立即吹响反攻号角。11 代酷睿采用 10nm Tiger Lake 工艺,开始缩小与 AMD 的差距,12 代酷睿采用英特尔 7 Alder Lake 工艺,全面超越 AMD 产品,并且在移动端反超苹果。
12 代酷睿,牙膏挤爆了
12 代酷睿,英特尔首次采用大小核设计,核心 IPC 提升 19%,加上小核对于多核性能的提升,实际性能提升幅度还会更大。技术标准上,12 代酷睿还支持 PCIE5.0 和 DDR5 内存,内存速度也有了质的提升。消费者选购 12 代酷睿作为 CPU,别的不敢说,性能绝对拉满。
多核性能上,i9-12900K R23 跑分高达 29785,而 AMD R9 5950X 才 28641。在桌面顶级 CPU 比拼中,英特尔成功胜出。
至于苹果“霸气不封顶”的 M1 Max 芯片,R23 多核跑分才 12402,还不及 i9-12900K 一半。当然, M1 Max 属于移动端笔记本芯片,i9-12900K 属于桌面级芯片,两者对比性能并不合适。
那么来看移动端芯片 i9-11950H,作为英特尔 10nm Tiger Lake 工艺下的产物,R23 多核跑分高达 12836,不仅高于 AMD 同级别芯片,也高于苹果被吹上天的芯片 M1 Max。11 代酷睿已经如此威猛,12 代酷睿提升了 IPC 与大小核设计,理论上至少比 11 代酷睿提高 19%。以此推算 12 代 i5 移动端芯片或许可以媲美 M1 Max,12 代 i7 移动端芯片应该稳赢 M1 Max。
当然,单纯的跑分并不代表一切,苹果真正强大的地方在于功耗与设计。M1 Max 是一块 Soc 芯片,集成了 CPU、GPU、内存芯片等模块,英特尔用顶级 CPU 芯片与 Soc 芯片对比,本身就不公平。此外,苹果 M1 Max 采用 ARM 架构,功耗水平与英特尔完全不在一个层面上。
不管怎样,英特尔 12 代酷睿提升还是非常巨大,虽然功耗更大,制程工艺也落后于苹果代工厂台积电,但是英特尔总算扳回一城,移动端 i5/i7 就可以与苹果顶级处理器打得不相上下,移动端 i9 芯片性能更是遥遥领先。对于注重性能,不在乎便携与功耗的小伙伴来说,英特尔已经赢了。
图源:pixabay、cpu-monkey
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