非晶硅探测器

非晶硅探测器是由闪烁体或荧光体层涂上有光电二极管作用的非晶硅层，再加上一个TFT阵列组成。它和CCD探测器的工作原理基本相同，都需要闪烁体将X射线转换成可见光，再把转换出的可见光通过光敏元件转换成电信号，再通过TFT阵列开关成像，也是间接数字化摄影。而将X射线转换成可见光的过程也会存在散射，影响成像的清晰度。但可以通过将闪烁体加工成针状以提高对X线的利用来降低散射，但散射光对空间分辨率的影响也不能完全消除。

根据其闪烁晶体涂层的材料不同，非晶硅探测器一般又分为碘化铯（CsI）非晶硅探测器和硫氧化钆（GOS）非晶硅探测器两种主流。这两种探测器的成像原理基本一致，但从性能上对比，碘化铯因为具有针状晶体结构，将X射线转换成可见光的综合转换效率比硫氧化钆涂层更高，冲激响应的光斑弥散也更小。因此，采用碘化铯作为闪烁体材料，X射线使用剂量更小，成像更清晰。但因为硫氧化钆涂层不需要长时间的沉积过程，因此制造工艺简单，成本低廉，碘化铯非晶硅探测器的生产成本比硫氧化钆非晶硅探测器更高，所以一般情况下，碘化铯非晶硅探测器更受青睐。

不过，就在前不久日本东丽公司也推出过一项新技术，据相关报道称，该公司的科研人员在硫氧化钆涂层上加入了“第二种荧光层”(second phosphor)，可以把350-400纳米之间的短波光能够转换成接近550纳米的长波光，而光电传感器对硫氧化钆涂层发射光谱中350-400纳米的短波光灵敏度较低，对550纳米长波光则具有较高的灵敏度。因此，它的这项技术可以将硫氧化钆非晶硅探测器的成像亮度提高30%，可以达到与碘化铯非晶硅探测器的成像效果。而其生产成本又比后者更低，具有相当可观的市场应用前景。

CMOS/单晶硅探测器

互补型金属氧化物半导体（CMOS）/单晶硅探测器的集成度非常高，将光电二极管阵列、读出芯片等集成在一块单晶硅晶圆上。相比于非晶硅探测器，CMOS探测器的分辨率更高、图像噪声更低、采集速度更快。但由于受到半导体产业中晶圆大小的限制，制作大尺寸探测器需要进行拼接，工艺较为复杂，因此工艺和原材料成本均高于非晶硅探测器。因此，CMOS探测器主要应用在齿科CBCT领域这种对小尺寸动态X线影像设备的需求上。

非晶硒探测器

非晶硒探测器是将非晶态硒涂在TFT阵列上构成。与非晶硅探测器相比，它不需要通过闪烁晶体将X射线转换成可见光。当X射线射入非晶态硒层时会产生电子-空穴对。这些电子和空穴在外加偏压电场作用下会向着相反的方向移动形成电流，电流在TFT积分形成储存电荷。通过读出电荷量，就可以知道每点的X射线剂量。

因此非晶硒探测器比非晶硅探测器是直接的数字化摄影，可以完全避免X射线转换成可见光过程中的散射带来的清晰度损失。但其缺陷在于其偏压电场高达数千伏，高压电场会对TFT开关造成损伤，减少使用寿命。并且生产成本也比非晶硅探测器更高。

碲化镉/碲锌镉探测器

碲化镉/碲锌镉探测器的工作原理和非晶硒探测器的工作原理完全一样，就是把非晶态硒涂层换成碲化镉涂层，或在碲化镉中加入少量的锌做成碲锌镉涂层，碲化镉探测器比碲锌镉探测器成本更低，更适合大批量生产和可重复性。与非晶硅、非晶硒探测器相比，它最大的优点在于非晶硅、非晶硒探测器一般要在低温环境下使用，而碲化镉/碲锌镉探测器则可以在普通室温环境中使用，可以用于对环境要求不高的环境监测、天体物理研究等领域。但缺陷在于碲化镉的晶体最大尺寸只有3英寸，因此也只能用于小尺寸的探测器上面。