最牛风投合肥“优选”,芯碁微装能否造出芯片光刻机?
或能破除面板光刻垄断
从PCB板到OLED面板,尽管产品赛道变化,但是底层技术逻辑始终是直写光刻技术,区别在于OLED面板对光刻精度要求更高。例如当前芯碁微装的直接成像设备光刻精度最低约为10微米,而OLED面板光刻精度要求不超过5微米。
过去十几年里,京东方(000725)等显示面板生产企业的崛起,缓解了中国“少屏”困境。然而,由于全球“OLED高世代线光刻设备”被日本 Canon、Nikon所垄断,设备单价高达亿元级别,并且产能有限,对我国完全自主生产OLED造成了极大阻碍。
“世代线数”,是衡量OLED制造技术高低的关键指标之一。代数线数越大,意味着玻璃基板尺寸越大,可以切出的面板数量就越多,当然对光刻精度要求也就越高。
光刻设备受制于人的问题尚未解决,中国OLED制造需求却还在持续增长。
近年来,中国FPD(平板显示器)产业步入快速发展时期,商务部数据显示,2013年国内FPD产能仅22百万平方米,2017年迅速增长到96百万平方米,中国一举成为全球第二大FPD供应地区。可见,OLED作为FPD领域的主流发展方向,即将在中国迎来大量产能释放。
力不从心的是,中国OLED中低世代线光刻设备领域,仅有极少数企业能够实现产业化,高端产线光刻设备领域则处于完全空白状态。2018年,芯碁微装自主研制了国内首条OLED直写光刻设备自动线,尽管只能用于低世代线领域,但也给中国OLED制造带来了希望。
来源:芯碁微装招股书
同年,该条设备自动线线成功投中国显光电招标项目,顺利出货并且一次性通过验收,证明了芯碁微装的技术成果产业化落地十分可靠。当然,与德国 Heidelberg同款直写光刻设备自动线相比,芯碁微装产品的光刻精度、产能效率仍有提升空间。
于是,芯碁微装计划筹集1.1亿元建设“平板显示(FPD)光刻设备研发项目”,旨在提高现有产品光刻精度、产能效率,并决心推进升级后光刻设备的规模量产。届时,芯碁微装将能助力中国打破OLED高世代线光刻设备垄断。
更值得一提的是,在不断地打磨技术过程中,芯碁微装已经实现了光刻精度从微米级向纳米级的跨越,纳米级大门背后是怎样的新世界?
终极目标是芯片光刻机
实际上,纳米级直写光刻技术已足以达到芯片晶圆要求的光刻精度,不过由于在芯片等半导体器件大规模制造中,直写光刻技术的生产效率与光刻精度不够稳定,所以直写光刻设备现在只能服务芯片小规模制造。
例如,当前芯片制造光刻机最高技术水平代表——ASML的“极紫外光学光刻机”,采用的仍旧是掩膜光刻技术。尽管如此,直写光刻设备走向芯片大规模制造却是必然之举。
原因在于传统掩膜光刻下,掩膜版定制属性极强且造价昂贵,而芯片升级迭代十分迅速,几乎每一次产品升级,都要损失一批掩膜版。同时,研制匹配升级后芯片的掩膜版,又要投入时间和金钱。
可见,加速芯片领域直写光刻机对掩膜光刻机的取代步伐,不仅能直接省去掩膜版成本,还将加速芯片升级周期,推动半导体产业快速向前。基于此,各国争相推进直写光刻技术在芯片大规模制造的应用,可以说率先取得突破性进展的国家中,极有可能诞生出“直写光刻”的“ASML”。
在争创“ASML”道路上,中国企业不可能缺席。其中芯碁微装率先研制出了用于掩膜版制造的直写光刻设备,光刻精度最高可达500纳米,已经向中国多家科技研究所小规模供货,产品各项指标基本能与国际先进产品同台竞争。
此外,芯碁微装正在筹划晶圆级封装(WLP)的直写光刻设备,即在晶圆上封装芯片,而不是先将晶圆切割成单个芯片再进行封装,这是目前最先进的芯片封装技术之一。
同时,芯碁微装还承担了“8寸”、“130-90nm ”等国家级WLP直写光刻设备研制项目。在产品落地方面,其计划筹资9,380万元新建“晶圆级封装(WLP)直写光刻设备产业化项目”,可以年产6台WLP直写光刻设备。
可以看出,芯碁微装的直写光刻设备通过服务于芯片掩膜版制造和WLP,分别进入了芯片制造的前期设计阶段、后期封装阶段,接下来就是要拿下最难啃的骨头——芯片制造阶段的直写光刻机,力争成为“新世界”的“ASML”。
从PCB到OLED再到IC制造,芯碁微装的直写光刻技术步步升级,成长惊人,除了自身努力,也少不了前人技术积累支撑。未来直写光刻技术能否直接用于芯片制造?芯碁微装或许即将进入“无人区”,不过别怕,它有合肥乃至整个中国“撑腰”。
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