“印钞机”中芯国际：科创板上市
2020-07-17 10:21
亿欧网
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2019年，中芯国际已宣布量产14nm芯片。且细看中芯国际的工艺研发路线可以发现，中芯国际在14nm量产后，可能会跳过10nm工艺，朝7nm的目标迈进。
中芯国际此前多次表示：中芯国际的下一代工艺是N＋1工艺。虽然中芯国际没有透露具体细节，只是称下一代工艺与14nm相比，性能提升了20％，功耗降低了57％，逻辑面积缩小了63％，SoC面积减少了55％。
换算下来，这正是7nm的技术标准。
一直以来，英特尔是按照单位面积内晶体管的数量来判断芯片工艺的标准。英特尔10nm芯片一个单位占面积54＊44nm，每平方毫米1．008亿个晶体管；台积电7nm芯片一个单位占面积57＊40nm，每平方毫米1．0123亿个晶体管。而中芯国际的N＋1代工艺，也达到了7nm的标准。
如果中芯国际能试产N＋1工艺芯片，或能够小批量生产N＋1工艺芯片，中芯国际将成为全球第三家掌握10nm以下工艺的芯片代工企业。
除此之外，中芯国际的FinFET技术研发也在不断向前推进。第一代FinFET（14nm）已成功量产，第二代FinFET（12nm工艺）正在研发稳步推进。
中芯国际CEO梁孟松曾多次表示，目前中芯国际无需EUV光刻机，也能实现7nm工艺的生产，台积电第一代7nm工艺芯片也没有使用EUV光刻机。未来，中芯国际致力于在先进制程上不断突破。
半导体行业由于技术难，垄断性高一直被誉为“印钞机”行业。此次中芯国际上市后，希望其能凭借资本的优势，促进国产半导体行业协同发展，扛起“国产替代”大旗。
不久的将来，中芯国际不仅是投资者的“印钞机”，也能成为半导体行业的“印钞机”。
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