获胜的制程战争

　　二十世纪90年代中期，在摩尔定律的发展中，以英特尔领头的芯片业界普遍认为，以现有的半导体技术，如果严格遵循摩尔定律，那么，半导体制程工艺发展到25nm节点时，将出现一个新的生产制造瓶颈。简单说来，这个瓶颈就是制造技术上难以满足25nm及以下制程工艺，以及后续的先进制程，均有可能得不到延续。

　　1998年，加州大学伯克利分校胡正明教授在美国国防部高级研究项目局（Defense Advanced Research Projects Agency，DARPA）的资助下，带领自己的技术团队，对CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体）晶体管工艺技术的拓展进行研究，他们研究的目的，是如何将晶体管的密度制程，提高到25nm。

　　胡正明教授在三维结构的MOS 晶体管基础上，进一步提出了自对准的双栅MOSFET结构（Double gate structure Metal－Oxide－Semiconductor Field－Effect Transistor，双栅金氧半场效晶体管）。

　　随后，胡教授及其团队成员发表了有关Fin FET晶体管（Fin Field－Effect Transistor，鳍式场效应晶体管）（1999年发布）和UTB－SOI技术（Ultra Thin body and BOX－Fully Depleted－silicon on insulator，UTBB－FD－SOI，超薄基体埋氧全耗尽绝缘层基硅）（2000年发布），并于当年制造出来基于该技术的晶体管，它的栅长度只有 17nm，沟道宽度 20nm，鳍（Fin）的高度 50nm，这是全球第一个25nm以内的晶体管，胡正明实现了他们的研究目的。

　　这一技术的发明与应用，同时解决了晶体管漏电和动态功率耗损问题，使芯片内构由水平变成垂直向上发展，是40多年来半导体领域最大变革。最为主要的是，它解决了25nm及以下制程的制造，这个技术的突破，可以说一举奠定了接下来二十年或者更长时间内芯片制造行业的基础。

　　与此同时，在2000年前后，由英特尔与IBM主导的芯片制造技术，也在这一阶段前后，获得了突破。在从“铝介质”转向“铜介质”，从180nm向130nm制程突破中，IBM再次取得领先。

　　IBM试图以铜介质的130nm制程作为筹码，继续统治整个芯片的制造环节，IBM最先找到的，是台湾地区的两大代工巨头：台积电与台联电。最终，台联电选择了IBM的技术路线，并率先通过该技术，实现了130nm制程的量产。

　　而台积电，则选择了婉拒，他们要“技术自立”，就只能另起炉灶，正是这次婉拒，拉开了台积电“制程领先”战略的制程战争。

　　2001年，台积电的COO是余振华，他请来了Fin FET和UTB－SOI技术的发明人，胡正明博士，前来台积电工作，胡正明成为了台积电历史上第一位CTO，在这里，胡正明得以与他最得意的门生梁孟松一起共事，而胡正明，正是梁孟松的博士导师。

　　胡正明的到来，与梁孟松的合璧，使得台积电在Fin FET和UTB－SOI技术的利用上，如虎添翼。他们引入了Low－K Dielectric（低介电质绝缘）技术，选择直接跳过150nm，直接进入到130nm制程，最终，台积电成功了。凭借130nm制程的自主和量产，台积电在先进制程中，实现了从落后以IBM为代表的大联盟两个代次，到并驾齐驱，之后，台积电逐步将IBM及其身后的联盟，逐步在之后的发展中实现领先。

　　2003年，台积电以自主技术击败IBM，一举扬名全球的130nm“铜制程”战役，台积电在胡正明的带领下，获得了巨大的成功。之后，参与这一技术研发，并接受行政院表彰的台积电研发团队中，当时负责先进模组的梁孟松排名第二，贡献仅次于他的上司，资深研发副总蒋尚义。

　　这场表彰会上，并没有胡正明的身影，不久之后，胡正明从“台湾第一CTO”的位置上退下来，他选择了回校任教，而他的学生梁孟松，则继续为台积电而努力。

　　2004年12月，台积电发布使用浸润式曝光（Immersion Lithography）技术，突破了90nm制程，浸润式曝光技术，采用以水为介质的浸润式曝光机，改写了全球半导体产业。该技术的使用，使得摩尔定律（Moore’s Law）得以延续。

　　2005年，台积电继续往前推进制程领先，成功试产65nm制程，并于2006年成功通过65nm制程技术的产品验证，并针对客户需求率先推出低耗电量（Low Power）制程技术。之后，更迅速推出不同产品应用的65nm制程。

　　65nm制程技术是第三代同时采用铜制程及低介电质技术，与前一代次的90nm制程技术相较，其晶体管密度增为两倍。

　　看起来，台积电的一切都进行得顺风顺水，但是，一场人事风暴，马上就要到来。

　　晋升失败，让位出走

　　2005年6月，张忠谋辞去台积电CEO职务，将权杖交予其一手培养起来的接班人蔡力行，他自己则当起了台积电的“精神领袖”，但是，几乎所有人都知道，真正做决策的，依旧是他张忠谋。

　　2006年，加入台积电9年，年满60岁的蒋尚义，选择了“退休”，但实际上是“接班”无望，选择让位。在接替余振华做了一段时间的COO后，此时蒋尚义的职位还是研发副总，在台积电是仅次于CEO的实权人物。

　　蒋尚义的退休，使台积电出现了一定的权力真空，原本最被看好接替这一职位的人，是梁孟松。

　　与梁孟松一起竞争这一位置的，是同为技术处长的孙元成。

　　更令人想不到的是，真正接替蒋尚义的，是英特尔的技术研究发展的副总罗唯仁，罗唯仁的到来，一方面是台积电被资本裹挟的结果，另一方面，这真的是一步臭棋。

　　为了使这步臭棋能走下去，台积电设立了名为“Two in a Box”的研发策略，即设置两个研发副总的职位，当人们以为另一个位置会是梁孟松的时候，孙元成却成为了最后的人选，而梁孟松则被调任为基础架构的专案处长。

　　梁孟松

　　这则调令，被认为是梁孟松后来离开台积电的最大原因，因为梁孟松的技术研究，一直是台积电引以为傲的“制程领先”。在梁孟松看来，半导体技术的发展、芯片制造环节的发展，先进制程将会是最为主要的发展方向，而梁孟松与其导师胡正明，一直是“摩尔定律”的信仰者。

　　要实现“先进制程”的理想，调去做基础架构专案，对于梁孟松来说，这意味着“被弃用”，对于一个满怀理想的科学家来说，弃用意味着结束，这是谁都无法面对和接受的。

　　梁孟松在后来回忆这段经历的时候，这样“哭诉”道：

　　“大家都知道我被下放了，被冷落了，我也不敢再去员工餐厅，我怕见到以前的同事，以前的同事也怕见到我，我觉得非常丢人，没脸见人，我对台积电付出了那么多，他们最后就这么对我，把我安排去一个像冷宫一样的办公室。”

　　与梁孟松不同，蒋尚义一直是先进封装（基础架构）的拥护者之一。在进入中芯国际后，蒋尚义表示，其决定加入中芯国际的关键是，中芯国际有先进封装的基础，同时先进制程技术已经推进至14nm、N＋1、N＋2，能够实现其在先进封装和系统整合方面的梦想。他说：

　　“我只是很单纯的工程师，我有权利追求我的理想和事业的目标，尤其是技术上的理想。”

　　蒋尚义在退休后，对台积电人事任命发表评论时说：

　　“我相信他（梁孟松）有相当大的期望，我离开时，他（梁孟松）会是其中一个（研发副总）。”

　　即便没有获得自己想要的，但是梁孟松仍旧选择了继续在台联电效力。此时的台积电，正在全力冲刺45nm制程，最终，台积电在2007年，实现了45nm的量产，2008年，实现了40nm的量产。这两个制程的突破，让台积电再次领先，并在金融危机前后，一举奠定了全球第一的位置。

　　然而，技术的领先和推进，没有给梁孟松带来想要的结果，在台积电推进32nm／28nm制程节点的重要时刻，梁孟松选择了辞职。

　　2009年2月，梁孟松正式离开了工作了17年的台积电。

　　在台积电，梁孟松是真正的技术上的功臣元老，台积电的“制程领先”战略，离不开梁孟松“先进制程”的技术发展理念，这一理念，在后来梁孟松的工作中，一直是其信条。

　　张忠谋

　　四个月后，卸任四年的张忠谋，以78岁高龄，重新回到台积电，担任CEO。张忠谋的重新掌舵，说明台积电遇到了发展的瓶颈，或者正处于某种危机之中。

　　这个危机，就是迟迟无法在32nm／28nm制程节点实现突破。

　　为了解决这个问题，张忠谋对退休三年的蒋尚义发出了邀请，邀请他回到台积电，领导新成立的“技术研究发展组”，而这个组织，是为蒋尚义继续领导研发部门量身定做的。

　　虽然蒋尚义跟随梁孟松再次回归，但是台积电的32nm／28nm制程，依旧比预计的时间节点，晚了一年多才量产，原本计划在2009年年底的节点，硬生生地推迟到了2011年年中。

　　外界认为，梁孟松的辞职，是导致台积电在这一制程研发的时间节点上，出现推迟的直接原因。

　　而张忠谋召回蒋尚义，目的之一就是接替梁孟松的工作，继续推进这一制程的研发工作，为了让已经“退休”的蒋尚义回来有一个冠冕堂皇的理由，台积电甚至处心积虑地设置了这样一个办公室。